设备型号：

AMAT/ENDURA 5500

核心功能：

采用高功率脉冲磁控溅射技术，实现金属材料高比例离化与高能粒子定向沉积，通过偏压引导与“再溅射”效应，完成高深宽比结构物理填充。

可稳定沉积Ti、TiN、Ta、TaN、Cu五类关键薄膜，一站式实现预处理、多腔连续沉积，广泛用于芯片互连粘附层、阻挡层、种子层制备。

腔体介绍：

Degas腔：配备红外加热，可快速升温至400℃，有效去除晶圆表面吸附水汽、氧气及挥发性有机物，促进高质量洁净界面；

PreClean腔：具备物理轰击+化学反应双重作用机制，清洁晶圆表面污染物，提升薄膜附着力；在Reactive模式下，可通入还原性气体，针对性处理Cu表面氧化层，降低接触电阻；

SIO Ti/TiN靶腔：配备高功率源，有效促使Ti金属离化，改善薄膜沉积在孔洞内的覆盖调控，制备高质量的Ti粘附层与TiN阻挡层；

SIP EnCoRe Ta/TaN靶腔：通过高功率源与Ta coil的结合，显著改善TaN以及Ta的沉积均匀性，确保Cu seed的粘附阻挡效果；

SIP EnCoRe Cu靶腔：具备SIP功能，可实现Cu的自离化，极大提升离化率，完成高纯度的Cu薄膜沉积。

核心优势：

1. 高离化率沉积，膜质优异

· 金属离化充分，粒子能量高、方向性强；

· 膜层致密无针孔、附着力强、电阻率稳定；

· 应力宽范围精准可调，适配先进制程稳定性要求。

2. 高深宽比填充能力

支持AR 4:1/AR 10:1沟槽结构填充：

· AR 4:1（CD 1 μm）：侧壁覆盖率＞10%，底部覆盖率＞15%–35%；

· AR 10:1（CD 10 μm）：侧壁覆盖率＞5%，满足先进TSV与高阶互连填充需求；

· 粒子定向性强、台阶覆盖优异，无空洞、无断差。

3. 多腔集成，全自动量产架构

· 集成Degas腔+RPC预处理腔+三个独立沉积腔；

· 在线连续工艺，全程真空无大气暴露，污染更低；

· Ti腔最高功率20 kW，Ta/Cu腔配备ESC静电卡盘；

· Cu腔最高功率40 kW，沉积速率快、产能强劲。

4. 高均匀性控制，可靠量产

· 片内/片间厚度均匀性优异，1σ高精度管控；

· 方阻均匀性稳定，膜层性能一致性极强；

· 全自动晶圆传输，支持8英寸及以下晶圆高效量产；

· 系统可用性Uptime＞85%，MTBF＞250h，MTTR＜8h，运维效率高，连续1000片马拉松无报警。

关键工艺能力

· 支持高深宽比沟槽侧壁覆盖率＞10%，底部覆盖率＞15%–35%；

· 高沉积速率：Ti＞1000 Å/min、TiN＞500 Å/min、Ta＞1000 Å/min、TaN＞1000 Å/min、Cu＞4000 Å/min；

· 薄膜厚度、应力、方阻、均匀性全指标达标高端制程。

应用场景：

· 先进逻辑/存储芯片BEOL互连：粘附层/阻挡层/Cu种子层沉积；

· 功率器件、MEMS、图像传感器的高深宽比金属化；

· 高阶封装与2.5D/3D堆叠互连工艺。

特色工艺案例：

Ø Cu高深宽比填充

Trench~4:1

Trench~10:1

Ø Ti与TiN高深宽比填充

Trench~4:1

Trench~10:1

Ø Ta与TaN高深宽比填充

Trench~4:1

Trench~10:1