招聘人数：1
岗位类型：社招
学历要求：硕士及以上

岗位职责
1、负责半导体微纳半器件制备干法刻蚀工艺的开发，包括RIE、 ICP等离子体刻蚀工艺，Asher、plasma striper 等离子体清洗、去胶工艺，离子束（IBE）物理刻蚀工艺。；
2、负责干法刻蚀工艺实验设计并执行，负责采集数据、数据分析，对工艺参数进行持续的优化、监控以及维护；
3、制定工艺方法、操作流程和规范，建立相关的作业指导书与技术文件，指导技术人员，撰写培训资料，对现场操作人员进行相关的基础培训、操作培训和考核； 
4、主导工艺在线异常根本原因分析，提出改进计划，解决方案，并主导解决方案的执行，导入，跟进；
5、负责新设备，新工艺，新物料，新特气的调研，评估，论证，导入，验证等；
6、对应不同的研发项目，负责制定项目对应的工艺研发计划，和长期的研发规划，及时与项目组对齐，保证项目研发进度；
7、负责微纳器件制备干法刻蚀、离子注入技术、工艺的需求调研、分析，文献综述等。总结、归纳当前状态，存在问题，提出创新性，可行性解决方案，并主导、跟进方案的实施；
8、撰写学术论文，技术报告，将研究成果发表在相关领域的期刊上，将创新性成果申请专利。


岗位要求
1、全日制硕士及以上学历，博士优先，材料，机械工程，物理，化学，微电子，微纳加工、半导体等相关专业；
2、了解半导体微纳器件工艺开发及原理，熟悉半导体开发，制造，生产基础知识，5年以上微纳器件制备工艺开发经验，或5年以上Fab厂干法刻蚀RIE、ICP、Asher，，离子注入工艺开发经验，有8寸或12寸工作经验优先；
3、熟悉业界主流干法刻蚀设备及其性能，具有丰富的干法刻蚀工艺研发工作经验，熟悉AMAT、SPTS、Lam Research、ULVAC、北方华创等供应商的RIE、ICP、Asher、离子注入设备结构、操作等；
4、具有良好的逻辑分析能力、书面表达能力、人际沟通能力，PPT汇报，以及良好的英文阅读及书写能力；
5、优秀的团队精神、交流能力，具备良好的沟通协调能力，积极主动，能与团队协同高效完成任务。