设备型号：
Picosun R200 Adv
核心功能：
基于原子层沉积（ALD）的自限制表面反应与逐层生长机制，实现原子级厚度调控、高均匀性沉积及复杂三维/高深宽比结构的高保形覆盖。
可稳定沉积Al2O3、HfO2、SiO2、TiN、AlN、Ta2O5等多类氧化物/氮化物功能薄膜，兼容热ALD、等离子增强ALD（PEALD）及臭氧（O3）增强ALD工艺，适用于半导体介质层、钝化层、扩散阻挡层及功能纳米薄膜制备。
核心优势：
1. 原子级厚度控制与高质量薄膜生长
·自限制化学吸附/反应实现逐层生长，厚度线性可控，控制精度可达Å级；
·薄膜致密、针孔密度低，界面突变性与台阶覆盖一致性优异；
·支持低温工艺窗口，兼容温度敏感衬底、后道集成与先进封装流程。
2. 高深宽比结构保形覆盖能力
面向复杂三维微纳结构与高AR结构的均匀共形沉积：
·高深宽比沟槽/孔结构可实现连续、均匀包覆；
·沟槽、通孔、TSV与纳米孔内壁覆盖完整，降低侧壁薄化风险；
·侧壁、底角及底部膜厚保持良好一致性，基本避免PVD阴影效应。
3. 多工艺兼容，高均匀性控制
·支持热ALD、PEALD、O3增强ALD等多种工艺模式；
·前驱体源与反应气配置，支持氧化物、氮化物及金属氮化物材料体系快速开发；
·支持8英寸及以下晶圆、微纳结构样品及特殊基底处理；
· 片内/片间膜厚均匀性、批间重复性与设备运行稳定性良好。
关键工艺能力
·支持Al2O3、HfO2、SiO2、TiN、AlN、Ta2O5等多种薄膜沉积；
·薄膜厚度按ALD循环数精确调节，具备单原子层级生长控制能力；
·具备高深宽比沟槽、孔洞及复杂三维结构的完整共形覆盖能力；
·支持低温沉积与等离子增强工艺；
·薄膜均匀性、致密性、电学性能可满足先进半导体与微纳制造需求。
应用场景：
·先进逻辑/存储芯片：High-k介质层、扩散阻挡层、衬垫层/侧壁衬垫沉积；
·SiC/GaN功率器件：栅介质、表面钝化层、场板绝缘层制备；
·MEMS与传感器：高深宽比结构绝缘层、钝化与保护层沉积；
·三维集成与先进封装：3D NAND、TSV、先进封装及高深宽比通孔共形镀膜；
·光电子与显示器件：光学功能层、阻隔层与封装保护层制备；
·纳米材料与科研开发：新型氧化物、氮化物、铁电/高介电薄膜工艺探索。
特色工艺案例：
Ø Al2O3高深宽比结构共形覆盖
台阶覆盖率（%）：
|
|
宽
|
深
|
AR
|
顶角
|
中部
|
底角
|
底部
|
|
PE-Al2O3
|
2.488
|
70.68
|
28.4
|
100
|
96.71
|
96.71
|
93.66
|
|
T-Al2O3
|
2.687
|
74.52
|
27.7
|
99.98
|
98.4
|
100
|
98.89
|
表面粗糙度（nm）：
|
|
Ra
|
Rmax
|
|
PE-Al2O3
|
0.215
|
4.07
|
|
T-Al2O3
|
0.213
|
5.9
|
Ø SiO2高深宽比结构共形覆盖
台阶覆盖率（%）：
|
|
宽
|
深
|
AR
|
顶角
|
中部
|
底角
|
底部
|
|
PE-SiO2
|
2.873
|
74.19
|
25.8
|
95.83
|
91.68
|
90
|
90.2
|
|
O3-SiO2
|
2.646
|
72.02
|
27.2
|
88.76
|
48.38
|
50
|
45.84
|
表面粗糙度（nm）：
|
|
Ra
|
Rmax
|
|
PE-SiO2
|
0.0983
|
1.48
|
|
O3-SiO2
|
0.0609
|
1.13
|